SiO2 diterapkan pada sirkuit terintegrasi
Meskipun silikon adalah bahan semikonduktor, SiO2 adalah bahan isolasi yang baik, dan memiliki sifat kimia yang sangat stabil, karakteristik yang sangat baik ini membuatnya memiliki berbagai aplikasi dalam pembuatan IC. Dapat dikatakan bahwa tidak hanya " silikon " yang membawa kita ke Era Silikon, tetapi juga penggunaan utama SiO2. SiO2 dalam pembuatan IC tercermin dalam aspek-aspek berikut:
1. menutupi kotoran
Silica bertindak sebagai agen penutup untuk difusi pengotor. Dalam pembuatan IC, difusi boron, fosfor, dan arsenik dalam film silika jauh lebih lambat daripada silikon. Karena itu, yang paling umum
Metode yang digunakan untuk membuat berbagai daerah perangkat semikonduktor (seperti daerah sumber dan drain transistor) adalah dengan pertama-tama menghasilkan lapisan film oksida SiO2 pada permukaan silikon wafer, setelah fotolitografi dan pengembangan, kemudian etsa film oksida di permukaan dari daerah doping, sehingga membentuk jendela doping,
dan akhirnya secara selektif pengotor melalui jendela. Chi disuntikkan ke area yang sesuai.
2. gerbang oksida
Dalam proses pembuatan sirkuit terpadu MOS / CMOS, SiO2 biasanya digunakan sebagai dielektrik gerbang isolasi dari transistor MOS, yaitu lapisan gerbang oksida.
3. isolasi dielektrik
Metode isolasi dalam fabrikasi IC termasuk isolasi PN junction dan isolasi dielektrik, di mana isolasi dielektrik biasanya dipilih oleh film oksida SiO2 . Sebagai contoh, oksigen lapangan dalam proses CMOS (digunakan untuk mengisolasi transistor PMOS dan NMOS) adalah film SiO2 yang digunakan untuk mengisolasi daerah aktif dari transistor PMOS dan NMOS.
4. media isolasi
Silikon dioksida adalah isolator yang baik, sehingga untuk struktur kabel logam berlapis-lapis, digunakan sebagai media isolasi antara lapisan logam atas dan bawah, dapat mencegah hubungan pendek antara logam.